1.现在国内的光刻机能达到多少纳米的技术?
官网显示,目前更先进的光刻机是600系列,光刻机中更高的生产工艺可以达到90nm。然而,与荷兰A *** L公司拥有的EUV掩模对准器相比,它可以通过高达5纳米的工艺制造。而且3nm工艺 *** 的芯片即将上市。不过根据相关信息,预计中国首款采用28nm工艺的国产浸没式光刻机即将交付。虽然国产光刻机和A *** L的EUV光刻机差距还很大,虽然起步晚,但是中国人的不断努力还是会弯道超车的。
第二,国内公司能否自主采购EUV光刻机来解决这种情况?
答案是否定的,要知道华为缺芯是美国的阻碍,国内公司更不可能轻易买到高端光刻机自己制造芯。虽然A *** L也是通过采购世界各地的优秀零件来补上最终的光刻机,但是没有任何零件可以避开美国的核心技术,所以美国不会为了控制中国的发展而轻易让中国购买光刻机。
做一个优秀的光刻机,要做很多艰苦的工作,不仅要达到美国光源和德国镜头的高水平,还要有很多精密的仪器。光刻机任重道远!这些精密仪器的背后,也需要更多的人才、研究技术、时间投入和技术积累,也需要大量的资金。我相信中国会克服这个困难,不再受其他国家的限制。
前些年华为缺芯事件闹得沸沸扬扬。如今华为自主研发芯片让国人为之自豪,但是又有一个问题难道不可以自己制造芯片吗?我们要知道制造芯片需要使用光刻机。但是纵观全球芯片公司,有这个技术和设备的只有三星公司了。它既可以自主研发又可以制造芯片,基本上垄断了行业芯片。但是反观中国目前的光刻机仍不能达到 *** 高端芯片的要求,技术还很落后。
一、如今国内光刻机能达到多少纳米的工艺 *** ?
查询官网可以知道,如今更先进的光刻机是600系列,光刻机更高的 *** 工艺可以达到90纳米。但是相比于荷兰A *** L公司旗下的EUV光刻机,更高可以达到5纳米的工艺 *** 。而且即将推出3纳米工艺 *** 的芯片。但是据相关信息透露,预计我国之一台28纳米工艺的国产沉浸式光刻机即将交付。尽管国产光刻机仍与A *** L的EUV光刻机还有很大的距离,虽然起步晚,但是国人的不断努力,仍会弯道超车。
二、国内公司可以自主购买EUV光刻机来解决这一现状吗?
答案是否定的。要知道华为缺芯事件就是美国从中作梗,更不可能让国内公司轻易购买到高端光刻机来自主造芯。尽管A *** L公司也是通过在全球各地采购相应精良的零部件来组成最终的光刻机,但是任何零部件都无法避开美国的核心技术,所以美国为了达到控制中国发展,不会让中国轻而易举买到光刻机。
要 *** 出一台精良的光刻机,要做很多的攻坚,不仅要达到美国光源、德国镜头的高层面,还有许许多多的精密仪器。中国光刻机任重道远!在这些精密仪器的背后,同样也需要更多的人才、研究技术、时间投入、技术的积累同样也需要大量的资金。相信中国也会克服这一困难,从此不再受他国制约。
中国的光刻机之所以会走向落后,是因为经济发展因素、海外企业竞争力过强以及欧美国家对中国进行了技术封锁。
由于华为遭美国封杀之后,华为的芯片供应也出现了很多的问题,由于芯片的制造离不开光刻机,所以光刻机就成为了网友非常关注的东西,只不过令大家没有想到的是,中国曾在光刻机领域达到过世界先进水平。
一、经济发展的原因,导致中国在光刻机领域处于落后地位。
虽然中国当时在光刻机领域拥有着不错的技术水平,但是大部分企业在光刻机领域都无法赚得收入和利润,这导致很多企业逐渐放弃了光刻机的生产和研发,正是由于很多企业不看好光刻机的生产,所以才导致中国在光刻机领域出现了大幅度落后的情况。
二、国外企业的技术优势,使得中国的光刻机处于落后位置。
由于国外企业在光刻机领域,储备了大量的技术专利,这使得国外企业在进行光刻机生产研发时,总能够更大程度降低成本,由于国外生产的光刻机在价格上,远低于中国的国产光刻机,这使得很多芯片生产商都开始选择国外的光刻机,正是由于国外的光刻机生产企业展现出了极强的竞争力,这导致中国的光刻机领域受到了极大的冲击。
三、欧美国家对于中国的技术封锁,使得中国无法提升光刻机的技术。
虽然中国曾在光刻机领域取得了不小的优势,但是如果一直无法和国际接轨的话,那么中国在光刻机领域,也不可能取得太大的进步,再加上欧美国家对中国在光刻机领域进行了强力的技术封锁,这导致中国无法在光刻机领域吸收国外的经验和技术,由于缺少国外技术的帮助,中国在光刻机领域逐渐走向了落后。
因为华为被打压的事件,让很多企业也是开始注重技术的研发,而不再单纯的靠着交钱使用国外的技术,而之所以华为芯片断供就是因为我们国家自己无法制造光刻机,还是要依靠西方技术的,而我们现在掌握的芯片制造更先进的也只是14nm,和现在主流台积电、三星的5nm相比还差的太多。
并且芯片中最重要的光刻机我们还是需要向西方进口,目前,中国国产光刻机制造企业——上海微电子已经可以量产96纳米光刻机,并且成功研发出28纳米的光刻机技术,但是,从研发成功到生产制造出来,还是需要一些时间的,最快也要到2021年才能生产出来。
但是光刻机的制造并不是那么简单的,制造光刻机所需要的核心零部件都是被欧美所垄断,还实施技术封锁,高端的光刻机不卖给我们,零件也不卖,芯片领域也是美国重点打压我国的手段,华为的断供只是一个方面。
目前世界上更先进的光刻机企业荷兰的阿斯麦光刻机,阿斯麦公司背后有着英特尔、台积电、三星等股东的支持,并且加入了美国的EUV LLC组织,获得了光刻领域的核心技术支持,也是正因为有着美国的支持阿斯麦才能发展到今天的地位。
据A *** L公司公布的数据,一台A *** L高端极紫光刻机是由10万多个零部件组装而成,而这10万多个零部件是由全球成百上千家的企业供应。而主要的核心部件都是由欧美发达国家提供。在A *** L核心部件前17大供应商中,美国占了9家,台湾占了4家,日本占了3家,德国占了一家。如果美国说不,A *** L同样也造不出光刻机。
所以光刻的制造绝不是这么简单的,正如很多人说的那样,它当年我们制造 *** 还难,美国主要打压的是我们高端的光刻技术。中低端就是睁一只眼闭一只眼,上海微电子公司生产的光刻机就不在打压的范围内,可能是技术相差太多了不放在眼里。但是限制华为的芯片供货,禁止台积电为华为代工,还有一只阻止中芯国际的EUV光刻机 *** ,主要指针对现在主流的7nm、5nm工艺制程的高端芯片。
在光刻机领域我们确实是落后美国太多了,短时间想跟上谈何容易,是需要技术的积累的,而我们想要在这段路上超越并不现实,而我国的技术人员也是在研究其他的芯片生产技术,可能也是一种办法,或许能够实现变道超车。
中国的光刻机现在达到22纳米。在上海微电子技术突破之前,我国国产光刻机还停留在只制造90nm芯片的阶段。这一次中国从90nm突破到22nm,意味着光刻机制造的一些关键核心领域实现了国产化。掌握核心技术的重要性不言而喻。突破关键区域后,高阶光刻机的RD速度只会越来越快。国产光刻机突破封锁,成功研发22nm光刻机。中国芯逐渐崛起。随着信息社会的快速发展,手机、电脑、电视等电子设备变得越来越“迷你”。从以前的“手机”到现在只有几个硬币厚的时尚手机,从老式的矮胖电视到现在的轻薄液晶电视,无一不离开集成电路的发展,也就是我们通常所说的“芯片”。自从1958年世界上之一块集成电路问世以来,体积越来越小,性能却越来越强。光刻机是半导体芯片制造行业的核心设备。以光刻机为代表的高端半导体设备支撑着集成电路产业的发展,芯片越来越小,集成电路越来越多,可以把终端做得小而精致。2002年,光刻机被列入国家863重大科技攻关计划,由科技部和上海市共同推动成立上海微电子设备有限公司(以下简称“ *** EE”)。2008年,国家启动了“02”重大科技项目,持续攻关。经过十余年的研发,我国基本掌握了高端光刻机的集成技术,部分掌握了核心部件的制造技术,成为集光学、机械、电子等多学科前沿技术于一体的“智能制造行业的珠穆朗玛峰”。
中国光刻机距离世界先进水平,还有较大的差距。
之一,目前全球更先进的光刻机,已经实现5nm的目标。这是荷兰A *** L实现的。
而A *** L也不是自己一家就能够完成,而是国际合作才能实现的。其中,制造光源的设备来自美国公司;镜片,则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。
第二,中国进口更先进的光刻机,是7nm。
2018年,中芯国际向荷兰A *** L公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机,当时预交了1.2亿美元的定金。请注意,当时这台机器还没有交付,而是下订单。
但国内市场上,其实已经有7nm光刻机。在2018年12月,SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是A *** L的股东之一。
第三,目前国产更先进的光刻机,应该是22nm。
根据媒体报道,在2018年11月29日,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米。
请注意该报道的标题:“重大突破,国产22纳米光刻机通过验收。”
也就是22nm的光刻机,已经是重大突破。
22nm的光刻机,关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备,打破了传统路线格局,形成一条全新的纳米光学光刻技术路线,具有完全自主知识产权。”
有关报道中的“全新的技术”,也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下,实现的这一次技术突破
中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。
华为麒麟受制于人,中芯国际不堪大用,澎湃芯片久不见进展,虎愤芯片勉强能用。
实用更是有很远的路要走。
大家放平心态。